El gigante tecnológico Samsung Electronics anunció que ha comenzado a producir en masa los primeros semiconductores de tres nanómetros del mundo, un producto de nueva generación que permite más rendimiento y menos consumo energético y que llega en un momento en el que persisten los cuellos de botella en este sector.

Samsung fabrica estos nuevos circuitos integrados con una tecnología de transistores de entrada múltiple a la que llama Multi-Bridge-Channel (MBCFET) y que permitirá importantes avances con respecto a la actual tecnología de fabricación FinFET usada para semiconductores de cinco nanómetros.

La primera generación de semiconductores de tres nanómetros que empezó a producir puede "reducir el consumo de energía hasta en un 45%, mejorar el rendimiento en un 23% y reducir su área en un 16%" en comparación con los de cinco nanómetros, explicó la empresa en un comunicado.

Los de segunda generación serán aún de menor volumen y más eficientes, ya que ocuparán un 35% menos de espacio físico y lograrán una mejora de rendimiento del 30% con un consumo de energía un 50% menor, según la compañía con sede en Suwon (al sur de Seúl).

De este modo Samsung Electronics logra adelantarse a la taiwanesa TSMC, que planea comenzar a fabricar sus semiconductores de tres nanómetros en la segunda mitad de este año.

Samsung, que es el mayor fabricante de chips de memoria del mundo y el segundo mayor fundidor de circuitos integrados del mundo (posee una cuota de mercado del 16,3%, por detrás del 53,5% de TSMC, según el medio especializado TrendForce), ha dicho que su tecnología para fabricar semiconductores de dos nanómetros está en fase temprana de desarrollo con la meta de empezar a producir en 2025.

Hace tres años la empresa presentó un gran plan de inversión de aquí a 2030 valorado en 171 billones de wones (unos 131.565 millones de dólares) en lo referente a fundidoras y tecnologías relacionadas.